著名物理学家、中国低温物理和低温技术研究开创者洪朝生逝世

　　知名科学家、在我国低温物理学和低温技术科学研究的创始人、中国科学院物理化学技术研究室研究者、中国科学院工程院院士洪朝生老先生因病抢救无效，于2018年8月19日10时10分于北京不幸逝世，寿终98岁。

　　洪朝生洪朝生老先生1940年毕业于清华电机工程系，1945年赴留学美国，1948年获麻省理工大学博士研究生，后在国外普渡大学和西班牙莱顿大学卡末林昂纳斯试验室工作中。1951年归国，任中国科学院运用物理所（物理所）副研究员、研究者，兼清华、北大、中国科学研究技术高校数学系专家教授。1978年任中国科学院物理研究所副局长，1982年任中国科学院低温技术试验管理中心负责人。1980年入选为中国科学院学部委员（工程院院士）。洪朝生老先生于1950年在半导体材料锗单晶体输运现象的试验中发觉残渣电子能级上的导电性状况，明确提出半导体材料禁带中残渣导电性的定义，这一工作中后被半导体物理界称作“洪朝生效用”，变成混乱系统软件电子器件输运现象试验科学研究的开始，引起了国际性上对混乱电子器件输运体制的探寻。1953年在中国科学院物理研究所建立了中国第一个低温试验室，主持人研制低温科学研究机器设备，依次在中国初次完成了氢的汽化和氦的汽化，并使该技术在中国得到营销推广，为在我国科研，尤其是“两弹一星”的取得成功研制作出了奉献。1970年代领导干部低温科学研究团队，完成了大中型室内环境系统模拟KM3和KM4低温氦制冷机组的研制每日任务，给予通讯卫星老天爷的室内空间环境监控系统实验标准，为在我国航天工程的发展趋势作出了奉献。“KM4大中型航空航天环模机器设备的研制”得到 1985年我国科技创新一等奖。洪朝生老先生是第三届全国各地人民代表，第五、六、七、八届全国政协委员会，曾任中国物理会副会长，中国致冷学好副会长，国际性低温工程项目联合会副书记。1978年获全国各地高新科技交流会嘉奖的全国各地科技工作者，1989年获中国物理会胡刚复物理学奖，2000年获国际性低温工程项目联合会门德尔松奖，2011年获英国低温工程项目和低温原材料交流会塞缪尔柯林斯奖。定为2018年8月22日—8月24日在中国科学院物理化学技术研究室2号楼407会议厅开设洪朝生老先生缅怀堂，供社会各界吊丧。洪朝生老先生告别仪式典礼定为2018年8月25日早上10：00在八宝山宾仪馆东会堂举办。